1、结构:mlc是双层,tlc是三层,qlc是四层。
2、单个cell存储数据量:mlc为2bit,tlc为3bit,qlc为4bit。
3、理论擦写次数:mlc是3000-10000,tlc是500-1000,qlc是150。
数码科技2022-11-27 18:44:36佚名
1、结构:mlc是双层,tlc是三层,qlc是四层。
2、单个cell存储数据量:mlc为2bit,tlc为3bit,qlc为4bit。
3、理论擦写次数:mlc是3000-10000,tlc是500-1000,qlc是150。